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随着新能源汽车、光伏与工业电源对碳化硅功率器件的需求持续攀升，SiC 晶圆制造环节的重要性日益凸显。化学机械抛光（CMP）作为 SiC 晶圆加工的关键工序，直接决定晶圆表面平整度与器件良率。市场研究显示，SiC CMP 设备市场预计将以约 19.6% 的年复合增长率（CAGR）增长。为满足先进制程对表面质量的严苛要求，设备厂商正加快布局先进 CMP 技术、自动化系统与高精度抛光解决方案，以提升产能与工艺稳定性。对 CMP 耗材（抛光垫、抛光液）企业而言，SiC 衬底放量意味着新的增量市场空间。
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