TSMC 请供应商开发约 5µm HBM 微凸块：以减半凸块高度换取密度，而非改用混合键合

据 2026-09-02 材料产业消息，台积电已要求材料与设备合作伙伴开发约 5µm 级微凸块的键合与底部填充方案，而非将 HBM 与中介层的接口切换为铜混合键合。韩国与日本供应链已启动研发，量产时点各方说法不一（2027H2 或 2028H2），尚无定论。

此决策并非在密度上退让，而是选择「以凸块高度换取密度」：目前 HBM4 凸块约 10µm，目标是在保留已通过量产验证的焊料、底部填充、回流及检测体系的前提下减半高度，以控制堆叠总高（JEDEC HBM4 高度上限 775µm）。对 CMP 材料与设备而言，铜垫凹陷（recess）与表面粗糙度直接决定凸块能否在键合时充分接触，成为这道制程的关键技术要点，也催生了对更高精度 CMP 平整化的需求。

来源：NineScrolls（技术分析编译） https://ninescrolls.com/news/tsmc-asks-suppliers-for-5-m-hbm-microbumps-halving-hbm4-s-bump-height-instead