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三菱化学近日宣布，决定在位于福冈县北九州市的九州工厂新建生产设施，商业化量产用于尖端半导体抛光剂的超高纯胶体二氧化硅，计划于2028年10月投产。该产品可作为硅晶圆抛光剂以及硅晶圆互连层CMP研磨液的原料。
据介绍，该生产工艺采用超高纯度原料四甲氧基硅烷，最大限度降低杂质含量，并可根据客户需求定制颗粒尺寸与密度。随着AI与数据中心需求带动先进制程持续演进，CMP研磨液对原料纯度与颗粒一致性的要求不断提高，超高纯胶体二氧化硅被视为下一代抛光材料的核心原料之一。
三菱化学表示，此举旨在强化其在尖端半导体材料市场的布局。业内认为，上游原料的提纯与定制化能力，将成为CMP研磨液厂商差异化竞争的关键；原料端的技术升级也将为抛光材料国产化提供新的参考方向。
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